Flip-Chip Bonding mit höchster Präzision – exakte Ausrichtung und zuverlässige Verbindungen
Beim Flip-Chip Bonding wird der Chip face-down auf das Substrat montiert und die leitfähigen Bumps präzise mit den Pads verbunden. Tresky Flip-Chip Bonder nutzen Strahlteiler-Kameras mit Mehrpunkt-Ausrichtung und True Vertical Technology™, um unabhängig von der Bondhöhe eine Genauigkeit von ±5 µm oder besser zu erreichen.
Unsere Die-Bonder Plattformen unterstützen eine Vielzahl von Prozessen für unterschiedliche Anwendungen. Hier finden Sie einen Überblick über die wichtigsten Verfahren und ihre Einsatzgebiete.
Beim C4 Lötprozess (Controlled Collapse Chip Connection) werden die Chip-Bumps auf ein Substrat gelötet um die elektrische Verbindung herzustellen.
Eutektische Lötprozesse für Chips mit Au/Sn Bumps werden im speziellen für optoelektronische Komponenten und RF Antennen verwendet.
Bei Klebeprozessen werden leit- und nichtleitfähige Kleber (ACA, ICA, NCA) mit einem Dosiergerät oder mittels Stempel auf ein Substrat aufgetragen. Der Chip wird mit einer Strahlteiler-Kamera ausgerichtet, im Kleber platziert und anschliessend ausgehärtet.
Dieser Prozess wird für Flip-Chips angewandt, um Temperaturdifferenzen auszugleichen und die Verbindungsfestigkeit zu erhöhen. Meistens wird dabei ein Material auf Epoxid Basis verwendet.
Bei diesem Prozess wird eine wellenförmige Energie über das Pick-up Werkzeug auf den Chip übertragen, wodurch Vibration erzeugt wird. Die dabei entstehende Wärme führt zu einer festen Verschweissung von Chip und Substrat.
Treskys Flip-Chip Kamera Modul ist eine Beamsplitter Optik, die eine simultane Betrachtung zweier Objekte erlaubt, indem zwei Bilder optisch überlagert und auf dem Bildschirm dargestellt werden. Die Flip-Chip Optik hat eine eingebaute Ultra HD Kamera mit digitaler Vergrösserung und integriertem LED Licht für optimale Ausleuchtung der zu platzierenden Bauteile und der Substrate. Durch die hohe Bildvergrösserung und die Feinverstellung am XY Arbeitstisch wird eine Genauigkeit im Bereich von +-1µm erzielt.
